Vishay IRFBF Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 900V 1.7A N-CH MOSFET 9,533En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 900V 1.7A N-CH MOSFET 2,805En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 900V 1.7 Amp 1,478En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 900V 3.6A N-CH MOSFET 6En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 3.6 A 3.7 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 78 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 900V 1.7 Amp 337En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 900V 1.7A N-CH MOSFET 848En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 900V 1.7 Amp 285En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 900V 3.6A N-CH MOSFET 374En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 3.6 A 3.7 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 78 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / BC Components Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 900V No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800

Si
Vishay / BC Components Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 900V No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Tube
Vishay / BC Components Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 900V 3.6A N-CH MOSFET No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si Reel, Cut Tape