Toshiba MOSVII Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 69
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 500V 80W 380pF 2 Ohm
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 4 A 2 Ohms 80 W MOSVII Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3.5A 550V 80W 380pF 2.45
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 550 V 3.5 A 2.45 Ohms 80 W MOSVII Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4.5A 450V 30W 380pF 1.75
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 4.5 A 1.75 Ohms 30 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 525V 35W 540pF 1.5 OhM
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 525 V 5 A 1.5 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 600V 35W 700pF 1.43 Ohm
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 5 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4.4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4.5A 650V 35W 700pF 1.67 Ohm
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5 A 1.67 Ohms - 30 V, 30 V 2.4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 525V 80W 540pF 1.5Ohm
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 525 V 5 A 1.5 Ohms 80 W MOSVII Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5.5A 450V 35W 490pF 1.35
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 5.5 A 1.35 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 6A 500V 35W 540pF 1.4 Ohm
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 1.4 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 6A 525V 35W 600pF 1.3 Ohm
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 525 V 6 A 1.3 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5.5A 550V 35W 600pF 1.48
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 5.5 A 1.48 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 6A 525V 100W 600pF 1.3 Ohm
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 525 V 6 A 1.3 Ohms 100 W MOSVII Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 6.5A 450V 35W 540pF 1.2 Ohm
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 6.5 A 1.2 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 550V 35W 700pF 1.25
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 7 A 1.25 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 650V 45W 1200pF 0.98
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 980 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 500V 100W 600pF 1.22
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 7 A 1.22 Ohms 100 W MOSVII Reel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7.5A 550V 40W 800pF 1.07 Ohm
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 7.5 A 1.07 Ohms 40 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7.5A 450V 40W 800pF 0.77
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 9 A 770 mOhms 40 W MOSVII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 9A 600V 45W 1200pF 0.83
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 830 mOhms 45 W MOSVII Tube