1200V Trench XPT™ IGBTs with Sonic Diodes

Littelfuse 1200V Trench XPT™ Insulated-gate Bipolar Transistors (IGBTs) with Sonic Diodes are developed using XPT thin-wafer technology and Trench IGBT processes. The transistors feature reduced thermal resistance and are optimized for low switching loss. Littelfuse 1200V Trench XPT IGBTs with Sonic Diodes offer a high current handling capacity, high power density, and an anti-parallel sonic diode. These Trench XPT transistors are ideal for power inverter, motor drive, power factor correction (PFC) circuit, and battery charger applications.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Dp - Disipación de potencia
Paquete / Cubierta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Empaquetado
IXYS Módulos IGBT IXYN110N120B4H1
Hoja de datos
236En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Copack (Sonic-FRD) 1.2 kV 1.66 V 218 A 100 nA 830 W SOT-227B - 55 C + 175 C Tube
IXYS Módulos IGBT IXYN110N120C4H1
Hoja de datos
119En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Copack (Sonic-FRD) 1.2 kV 1.9 V 210 A 100 nA 830 W SOT-227B - 55 C + 175 C Tube
IXYS Módulos IGBT IXYN85N120C4H1
Hoja de datos
367En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Copack (Sonic-FRD) 1.2 kV 2 V 150 A 100 nA 600 W SOT-227B - 55 C + 175 C Tube