Vishay IRFZ Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 25
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A 3,899En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 11 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A 1,390En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 17A 5,465En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 17 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 17A 6,667En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 17 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A 3,037En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 50 Amp 949En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A 677En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 11 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 50V 15A 1,486En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 50 V 15 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A 3,193En existencias
2,000Se espera el 26/02/2026
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 20 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A 1,848En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 50 Amp 1,447En existencias
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Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60V Power MOSFET 825En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A 222En existencias
4,000Se espera el 16/02/2026
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 11 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 10 Amp 200mohm @ 10V 4En existencias
1,000Se espera el 26/02/2026
Min.: 1
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 11 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 50V 15A 1,177En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 50 V 15 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A 1,660En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-Channel 60V 694En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A 1,186En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A 654En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 50 Amp 493En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 50 Amp
1,000Se espera el 10/03/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay / BC Components Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60V No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 17A 60W No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

Si Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-Channel 60V No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 N-CH 60V 50A No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

Si Reel