STMicroelectronics Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
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865En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
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1,428En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5
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986En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
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878En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A
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533En existencias
1,000Se espera el 26/03/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP wide c
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514En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra n
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594En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
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137En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
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230En existencias
1,200En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package
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139En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel
STMicroelectronics IGBTs PowerMESH&#34 IGBT
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549En existencias
2,000Se espera el 22/06/2026
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed
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506En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK
STMicroelectronics IGBTs EAS 180 mJ-400 V
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1,332En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBTs 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
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463En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, M series low loss IGBT
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310En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
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79En existencias
1,000Se espera el 04/05/2026
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
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793En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
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342En existencias
1,000Se espera el 23/03/2026
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBTs IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast
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1,481En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
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698En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBTs N Ch 600V 10A
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1,298En existencias
2,500Se espera el 15/06/2026
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IGBT Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics IGBTs EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT
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1,875En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)


STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade 360 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
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2,490En existencias
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IGBT Transistors
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
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2,873En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 1200 Volt 5 Amp
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1,428En existencias
2,500Se espera el 06/04/2026
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IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-252-3