STMicroelectronics Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET
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1,780En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 35 Amp
Hoja de datos
57En existencias
2,000Se espera el 27/07/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET
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907En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 40 Amp
Hoja de datos
1,606En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 38 Amp
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1,002En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 55 Amp
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1,995En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 55 Amp
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1,989En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 75 V .0095 80A STripFet 2
Hoja de datos
808En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp
Hoja de datos
806En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
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1,016En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 3 Amp
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1,582En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 150 V StripFET
Hoja de datos
8,228En existencias
5,000Se espera el 04/03/2026
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MOSFETs Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistores Darlington Seven NPN Array
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2,934En existencias
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Darlington Transistors Through Hole PDIP-16 NPN
STMicroelectronics Transistores Darlington Seven NPN Array
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3,864En existencias
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Darlington Transistors SMD/SMT SOIC-16 NPN
STMicroelectronics Transistores Darlington Seven NPN Array
Hoja de datos
3,257En existencias
1,000Se espera el 03/04/2026
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Darlington Transistors Through Hole PDIP-16 NPN
STMicroelectronics Transistores Darlington Seven NPN Array
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3,920En existencias
5,000Se espera el 02/03/2026
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Darlington Transistors Through Hole PDIP-16 NPN

STMicroelectronics Transistores Darlington Seven NPN Array
Hoja de datos
5,011En existencias
72,500Se espera el 04/03/2026
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Darlington Transistors SMD/SMT SOIC-16 NPN
STMicroelectronics Transistores Darlington Eight NPN Array
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734En existencias
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Darlington Transistors Through Hole PDIP-18 NPN
STMicroelectronics Transistores Darlington Seven NPN Array
Hoja de datos
1,101En existencias
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Darlington Transistors Through Hole PDIP-16 NPN
STMicroelectronics Transistores Darlington Eight NPN Array
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276En existencias
2,000Se espera el 23/03/2026
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Darlington Transistors Through Hole PDIP-18 NPN
STMicroelectronics GWA40MS120F4AG
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a
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598En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
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57En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package
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90En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET
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229En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 68V 0.0082 Ohm 98 A STripFET II
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280En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel