PDIP-8 Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta

Littelfuse Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 6 CH DIODE ARRAY
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1,400En existencias
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PDIP-8

Littelfuse Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 6 CH DIODE ARRAY
Hoja de datos
1,280En existencias
Min.: 1
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PDIP-8
Texas Instruments Rectificadores en puente Dual Schottky Diode Bridge
Hoja de datos
56En existencias
Min.: 1
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Bridge Rectifiers Through Hole PDIP-8

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual EPAD(R) N-Ch
Hoja de datos
4En existencias
50Se espera el 25/09/2026
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MOSFETs Si Through Hole PDIP-8
Texas Instruments Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Dual USB Port
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1,152En existencias
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PDIP-8
Texas Instruments Rectificadores y diodos Schottky Quad Schottky Diode Array
Hoja de datos
152En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole PDIP-8
STMicroelectronics Triacs Auto Voltage Switch
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2,601En existencias
17,975En pedido
Min.: 1
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Triacs Through Hole PDIP-8
Texas Instruments Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Dual USB Port
Hoja de datos
90En existencias
Min.: 1
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PDIP-8
Texas Instruments Rectificadores en puente Dual Schottky Diode Bridge
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31En existencias
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Mult.: 1

Bridge Rectifiers Through Hole PDIP-8

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
Hoja de datos
32En existencias
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MOSFETs Si Through Hole PDIP-8

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
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6En existencias
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MOSFETs Si Through Hole PDIP-8

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual EPAD(R) N-Ch
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43Se espera el 25/09/2026
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MOSFETs Si Through Hole PDIP-8

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
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50En pedido
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MOSFETs Si Through Hole PDIP-8

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
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No en existencias
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MOSFETs Si Through Hole PDIP-8

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
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No en existencias
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MOSFETs Si Through Hole PDIP-8

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
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No en existencias
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MOSFETs Si Through Hole PDIP-8

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
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No en existencias
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MOSFETs Si Through Hole PDIP-8