Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ22DN20NS3 G
Infineon Technologies
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BSZ22DN20NS3 G

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726-BSZ22DN20NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

7 A

194 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5.6 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

IRL100HS121
Infineon Technologies
1: $1.46
7,955En existencias
8,000Se espera el 02/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRL100HS121

N.º de artículo de Mouser
726-IRL100HS121

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

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5.1 A

34 mOhms

- 20 V, 20 V

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3.7 nC

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IRL80HS120
Infineon Technologies
1: $1.87
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IRL80HS120

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726-IRL80HS120

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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PQFN 2x2 (DFN2020)

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- 20 V, 20 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 7A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ22DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
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BSZ22DN20NS3GATMA1

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726-BSZ22DN20NS3GATM

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SMD/SMT

TSDSON-8

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1 Channel

200 V

7 A

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34 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3

BSZ42DN25NS3GATMA1
Infineon Technologies
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BSZ42DN25NS3GATMA1

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TSDSON-8

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5 A

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4 V

5.5 nC

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+ 150 C

33.8 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ520N15NS3 G
Infineon Technologies
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BSZ520N15NS3 G

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726-BSZ520N15NS3G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

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150 V

21 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ520N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
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BSZ520N15NS3GATMA1

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726-BSZ520N15NS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3

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$2.68

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TSDSON-8

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1 Channel

150 V

21 A

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57 W

Enhancement

OptiMOS

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BSZ900N15NS3 G
Infineon Technologies
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BSZ900N15NS3 G

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726-BSZ900N15NS3G

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TSDSON-8

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1 Channel

150 V

13 A

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- 20 V, 20 V

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7 nC

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+ 150 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ900N20NS3 G
Infineon Technologies
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BSZ900N20NS3 G

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726-BSZ900N20NS3G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

15.2 A

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- 20 V, 20 V

2 V

8.7 nC

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+ 150 C

62.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3

BSZ900N20NS3GATMA1
Infineon Technologies
1: $2.60
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N.º de artículo del Fabricante
BSZ900N20NS3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ900N20NS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3

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$2.60

$1.66

$1.12

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

200 V

15.2 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

11.6 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC

IRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
1: $1.09
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N.º de artículo del Fabricante
IRLHS6376TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6376TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC

Hoja de datos

8,186En existencias

Cinta cortada

$1.09

$0.65

$0.442

$0.338

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Envase tipo carrete

$0.235

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

PQFN 2x2 (DFN2020)

N-Channel

2 Channel

30 V

3.6 A

63 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

StrongIRFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg

IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.65
160,975En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLML0030TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML0030TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg

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Hoja de datos

160,975En existencias

Cinta cortada

$0.65

$0.385

$0.256

$0.192

Envase tipo carrete

$0.14

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

5.3 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

2.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg

IRLML0060TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.754
134,185En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLML0060TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML0060TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg

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134,185En existencias

Cinta cortada

$0.754

$0.462

$0.295

$0.222

Envase tipo carrete

$0.163

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

2.7 A

116 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

2.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3

BSZ42DN25NS3 G
Infineon Technologies
1: $2.44
1,510En existencias
5,000Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ42DN25NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ42DN25NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3

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1,510En existencias

5,000Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

$2.44

$1.56

$1.03

$0.848

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Envase tipo carrete

$0.673

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Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

250 V

5 A

371 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5.5 nC

- 55 C

+ 150 C

33.8 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ900N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
1: $2.39
5,000En existencias
5,000Se espera el 24/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSZ900N15NS3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ900N15NS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

5,000En existencias

5,000Se espera el 24/12/2026

Cinta cortada

$2.39

$1.50

$1.02

$0.81

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Envase tipo carrete

$0.696

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

13 A

74 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg

IRLML0040TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.611
173,150En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRLML0040TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML0040TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg

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173,150En pedido

Cinta cortada

$0.611

$0.373

$0.237

$0.177

Envase tipo carrete

$0.129

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

40 V

3.6 A

78 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

2.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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