TSM Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 19
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
8,422En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 28 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 18 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
3,886En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 121 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 77 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
8,207En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 54 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, 124A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
1,846En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 30 V 124 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 50 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
808En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 35 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 161A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 161 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 113 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 161A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 161 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 112 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 121 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 79 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 104 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 104 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 107A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 107 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 105 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 75 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 75 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 39 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 54 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 51 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 36 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 180,000
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 51 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 37 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 41 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 41 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 18 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 2,500
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 35 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 27 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 18 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel