TPHR9003NL1,LQ
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757-TPHR9003NL1LQ
TPHR9003NL1,LQ
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=0.9mohm(max)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=0.9mohm(max)
Hoja de datos:
En existencias: 2,966
-
Existencias:
-
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-
Plazo de entrega de fábrica:
-
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (USD)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $3.07 | $3.07 | |
| $1.98 | $19.80 | |
| $1.34 | $134.00 | |
| $1.10 | $550.00 | |
| $1.04 | $1,040.00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000) | ||
| $0.952 | $4,760.00 | |
Hoja de datos
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
