TO-247-3 Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
Hoja de datos
333En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Central Semiconductor MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
Hoja de datos
27En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
Hoja de datos
614En existencias
600Se espera el 07/07/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS IGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD
Hoja de datos
70En existencias
300Se espera el 06/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC
Hoja de datos
672En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC
Hoja de datos
512En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
Hoja de datos
6,580En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 4.5KV .2A N-CH HIVOLT
Hoja de datos
674En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
Hoja de datos
2,180En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC RECT 650V 8A RDL POWER SIC
Hoja de datos
886En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Hoja de datos
1,112En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Hoja de datos
601En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
653En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Littelfuse Rectificadores y diodos Schottky 2x 20A 100V Rectifier
Hoja de datos
7,762En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Hoja de datos
7,820En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1,492En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS IGBTs TO247 3KV 32A IGBT
Hoja de datos
201En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
Hoja de datos
1,148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS IGBTs TO247 1200V 85A XPT
Hoja de datos
1,390En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
Hoja de datos
1,256En existencias
150Se espera el 15/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
389En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Littelfuse Rectificadores y diodos Schottky 2x 30A 45V Rectifier
Hoja de datos
12,282En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi IGBTs 650V40A FS4 IGBT TO-247LL
Hoja de datos
6,656En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V
Hoja de datos
9,632En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea
Hoja de datos
5,900En existencias
Min.: 1
Mult.: 1