- 55 C Tube Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
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IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 600V, 15A, TO-220-2L FRED
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Vishay Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 100A SM SCHOTTKY
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1,837En existencias
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
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Vishay Rectificadores y diodos Schottky Schottky - POWIRTAB
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296En existencias
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Vishay Diodos Schottky de SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 200 A
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154En existencias
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onsemi Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L
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1,102En existencias
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Wolfspeed Diodos Schottky de SiC 6th Generation 1700V, 40A Silicon Carbide Schottky Diode
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313En existencias
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Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC RECT 650V 10A RDL POWER SIC
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1,504En existencias
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Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC RECT 650V 8A RDL POWER SIC
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1,325En existencias
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Texas Instruments Interfaz IC CAN 3.3-V CAN Xcvr
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108En existencias
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Texas Instruments Amplificadores de precisión Dual Precision A 595 -LT1013DIDR A 595-L A 595-LT1013DIDR
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19,528En existencias
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Texas Instruments Amplificadores de precisión Quad Precision Op Am p A 595-LT1014DDWR A 595-LT1014DDWR
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9,936En existencias
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Wolfspeed Diodos Schottky de SiC SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 6A
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15,879En existencias
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Texas Instruments Aisladores digitales Single-channel Isola ted 24-V to 60-V di A 595-ISO1211DR
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 20A NCH MOSFET
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Vishay Semiconductors Rectificadores y diodos Schottky 45V 2 x 20A IF C.A. TO-220AB
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12,599En existencias
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281En existencias
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Vishay Rectificadores y diodos Schottky Schottky - POWIRTAB
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176En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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APC-E MOSFETs de SiC 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
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266En existencias
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