Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPP80R900P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPS70R600P7SAKMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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IPW60R145CFD7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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IPW80R280P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
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Controladores de puertas 1200V Isolated 2-CH, 2A,MillerClamp,DESA
2ED020I12-F2
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Controladores de puertas 1200V Isolated 2-CH, 2A,MillerClamp,DESA
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu
1EDI20N12AF
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Controladores de puertas 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPZA60R080P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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IPW60R180P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Controladores de puertas 30A 2-OUT Half Brdg Non-Inv
2ED300C17-ST
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117 Se espera el 28/05/2026
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Controladores de puertas 30A 2-OUT Half Brdg Non-Inv
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
IDDD20G65C6XTMA1
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726-IDDD20G65C6XTMA1
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Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
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1,700 Se espera el 30/04/2026
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Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
IDM02G120C5XTMA1
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Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
24,998 En pedido
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15,000 Se espera el 16/07/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R105CFD7ATMA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
977 Se espera el 09/04/2026
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Controladores de puertas 600V high & low-side 0.7A,integrated BSD
2EDL05I06BFXUMA1
Infineon Technologies
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726-2EDL05I06BFXUMA1
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V high & low-side 0.7A,integrated BSD
2,500 En pedido
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1
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$0.777
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Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
2EDL23N06PJ
Infineon Technologies
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726-2EDL23N06PJ
Infineon Technologies
Controladores de puertas 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
1,474 En existencias
2,500 Se espera el 05/08/2026
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$4.28
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$1.57
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$1.35
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Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
IDH08G120C5XKSA1
Infineon Technologies
1:
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997 Se espera el 23/04/2026
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726-IDH08G120C5XKSA1
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Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
997 Se espera el 23/04/2026
1
$5.08
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$2.13
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$1.96
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Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
IDK05G120C5XTMA1
Infineon Technologies
1:
$4.56
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N.º de artículo de Mouser
726-IDK05G120C5XTMA1
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
1 En existencias
1
$4.56
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$1.81
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Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
IDW40G120C5BFKSA1
Infineon Technologies
1:
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480 Se espera el 11/06/2026
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726-IDW40G120C5BFKSA
Infineon Technologies
Diodos Schottky de SiC SIC CHIP/DISCRETE
480 Se espera el 11/06/2026
1
$17.94
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MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R048M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
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480 Se espera el 16/06/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R048M1HXKSA
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
480 Se espera el 16/06/2026
1
$11.62
10
$6.83
100
$6.15
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD60R280P7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
$1.98
4,032 Se espera el 17/08/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7SAUMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4,032 Se espera el 17/08/2026
1
$1.98
10
$1.25
100
$0.833
500
$0.654
1,000
$0.597
2,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R095CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1:
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2,999 Se espera el 06/03/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R095CFD7AUM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2,999 Se espera el 06/03/2026
1
$6.51
10
$4.33
100
$3.08
500
$2.93
1,000
$2.81
3,000
$2.80
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R160CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1:
$4.69
2,990 Se espera el 16/07/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R160CFD7AUM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2,990 Se espera el 16/07/2026
1
$4.69
10
$3.08
100
$2.41
500
$2.12
1,000
$2.00
3,000
$1.81
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$6.12
3,000 Se espera el 05/11/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
3,000 Se espera el 05/11/2026
1
$6.12
10
$3.72
100
$3.39
500
$3.17
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$9.02
906 Se espera el 21/05/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
906 Se espera el 21/05/2026
1
$9.02
10
$5.20
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$4.39
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$7.49
1,601 Se espera el 14/05/2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1,601 Se espera el 14/05/2026
1
$7.49
10
$4.25
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$3.54
480
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