Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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Paquete / Cubierta

Littelfuse SCR Sen SCR 800V .8A 200 uA
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17,070En existencias
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SCRs SMD/SMT SOT-223-3
Littelfuse SCR 6A 1000V
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SCRs SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 250V 30A N-CH HIPER
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547En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 175V 150A
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295En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V 0.009 Rds
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368En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 200V 220A N-CH X3CLASS
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180En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET
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299En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds
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234En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 300V 0.026 Ohm Rds
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354En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 30A N-CH X3CLASS
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661En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-252-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 80A N-CH X2CLASS
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239En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT
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265En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3

IXYS IGBTs GenX3 600V XPT IGBTs
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311En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBTs
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577En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole
IXYS IGBTs 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
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920En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs TO263 1200V 20A XPT
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374En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263HV-3
IXYS IGBTs TO247 1700V 10A IGBT
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255En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Littelfuse SCR 6A 200uA 600V
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2,470En existencias
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SCRs SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
Littelfuse SCR 12A 600V
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2,880En existencias
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SCRs SMD/SMT TO-252-3
Littelfuse Dispositivos de protección contra sobretensiones del tiristor - TSPD SEP Ethernet 100A Biasd Protec. Device
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7,875En existencias
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TSPDs SMD/SMT QFN-2
Littelfuse Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS SMF - CA 10V
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14,922En existencias
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SOD-123-2
IXYS Rectificadores 30 Amps 800V
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4,546En existencias
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Rectifiers Through Hole TO-220-2

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A
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3,001En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
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403En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 72A N-CH X3CLASS
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255En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3