Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

Tipos de Semiconductores discretos
Cambiar Vista por categorías
Resultados: 2,183
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A
Hoja de datos
3,001En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
Hoja de datos
403En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 72A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
255En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 200V 0.018 Rds
Hoja de datos
300En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
173En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Hoja de datos
282En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 1000V
Hoja de datos
1,345En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 300V 26A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
1,956En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-252-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
Hoja de datos
418En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 62A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
204En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 102A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
251En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
Littelfuse SCR 1000V 12A
Hoja de datos
130En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs Through Hole TO-220-2
Littelfuse SCR 600V 8A Sensing
Hoja de datos
308En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs TO-220-2
Littelfuse SCR 25A 1000V
Hoja de datos
238En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 500

SCRs SMD/SMT SMTO-263-2
Littelfuse SCR 50V 8A
Hoja de datos
403En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SCRs Through Hole TO-220-3
Littelfuse SCR SCR 600V 35A Iso
Hoja de datos
1,511En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs Through Hole SMTO-218
Littelfuse SCR 25A High Temp Thyristor
Hoja de datos
982En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs Through Hole TO-220-2
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 300V 56A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
794En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 250V 120A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
1,067En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Hoja de datos
2,347En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) tbd Amps 500V 0.06 Ohms Rds
Hoja de datos
209En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
268En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 80A
Hoja de datos
298En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 1700V/108A High Voltage XPT IGBT
Hoja de datos
350En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs TO268 1200V 85A XPT
Hoja de datos
475En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)