Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
IXYS IGBTs 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT
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251En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3

IXYS IGBTs 650V/370A Trench IGBT GenX4 XPT
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295En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Littelfuse SCR SCR 600V 70A
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245En existencias
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SCRs Through Hole SMTO-218
Littelfuse Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS Diode Low Cap P6KE
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3,476En existencias
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DO-15 (DO-204AC)
Littelfuse Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS Diode Low Cap P6KE
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3,431En existencias
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DO-15 (DO-204AC)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 132A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
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142En existencias
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MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A
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269En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 80A
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406En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V/90A X3-Class HiPerFET
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269En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
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261En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1 Amps 1200V 20 Rds
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321En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS IGBTs XPT IGBT C3-Class 600V/170Amp CoPacked
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167En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-264
Littelfuse SCR SCR SOT23 600V .8A EV SERI
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6,294En existencias
MouseReel Disponible
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SCRs SMD/SMT SOT-23-3
Littelfuse Dispositivos de protección contra sobretensiones del tiristor - TSPD SEP ETHERNET 100A BIASED PROTECTN DEV
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1,524En existencias
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TSPDs SMD/SMT QFN-2
Littelfuse SCR 6A 1000V
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2,499En existencias
MouseReel Disponible
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Carrete: 2,500

SCRs SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 250V 30A N-CH HIPER
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547En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 14A
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270En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET
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299En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds
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234En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
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480En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 850V 8A N-CH XCLASS
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263En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET
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195En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 76 Amps 250V 39 Rds
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211En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Hoja de datos
265En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs TO247 1700V 24A DIODE
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230En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3