Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XPH4R714MC,L1XHQ
Toshiba
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14,688 Se espera el 02/03/2026
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
14,688 Se espera el 02/03/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XPN7R104NC,L1XHQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4,996 Se espera el 15/05/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET
SSM3J377R,LXHF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición H-Bridge Driver Automotive; AEC-Q100
TB9052FNG,EL
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición H-Bridge Driver Automotive; AEC-Q100
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición H-Switch Motor Drivr Automotive; AEC-Q100
TB9056FNG,EL
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición H-Switch Motor Drivr Automotive; AEC-Q100
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor Pre-Driver Automotive; AEC-Q100
TB9080FG
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición Motor Pre-Driver Automotive; AEC-Q100
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Brushless MCD Automotive; AEC-Q10
TB9081FG
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 3Phase Brushless MCD Automotive; AEC-Q10
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 2Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
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TB9101FNG,EL
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Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición 2Ch HBridge Mtr Drvr Automotive; AEC-Q10
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