Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Resultados: 451
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK 2,801En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 34 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 V SANYO T6 NCH IN 106,984En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 3.6 A 24 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 17.8 nC - 55 C + 150 C 1.56 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL IN U8FL 2,793En existencias
34,500Se espera el 27/03/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 70 A 9.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP 2,711En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 88 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 43 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP 1,895En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 73 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 36 nC - 55 C + 175 C 47 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP 2,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 175 C 47 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP 2,489En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP 4,584En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 24 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 9.8 nC - 55 C + 175 C 18 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK 2,388En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 89 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 72 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK 4,946En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 38 A 13.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 9.6 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK 3,133En existencias
2,500Se espera el 26/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 17 A 22.8 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 7 nC - 55 C + 175 C 18 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS 2,083En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 145 A 2.2 mOhms, 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 2,784En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 127 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 38 nC - 55 C + 175 C 89 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS 5,233En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 84 A 3.9 mOhms, 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 23 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS 3,136En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 49 A 9.8 mOhms, 9.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 12.3 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 1.15MO 2,651En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 241 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 82 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET 3,038En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 40 V 378 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 128 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET 1,247En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 370 A 520 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 181 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET 1,278En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 330 A 650 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 143 nC - 55 C + 175 C 3.8 W, 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL 3,505En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET 1,455En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 235 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN 1,661En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 237 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 93 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL 1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 40 V 185 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 175 C 3.8 W, 106 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL 3,320En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET 7,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 102 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel