Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Resultados: 451
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET
Hoja de datos
1,350En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 235 A 1.3 mOhms 20 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL
Hoja de datos
1,350En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 185 A 1.7 mOhms 20 V 3.5 V 47 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 1.15MO
Hoja de datos
1,192En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 241 A 1.15 mOhms 20 V 2.2 V 82 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
Hoja de datos
1,200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
Hoja de datos
1,337En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 127 A 2.8 mOhms 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET
Hoja de datos
1,200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 920 uOhms 20 V 3.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL
Hoja de datos
1,200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 185 A 1.7 mOhms 20 V 3.5 V 47 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET
Hoja de datos
900En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 140 A 2.3 mOhms 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET
Hoja de datos
1,200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 102 A 3.3 mOhms 20 V 3.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN
Hoja de datos
1,405En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
Hoja de datos
1,000En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 159 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 45.2 nC - 55 C + 175 C 77 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 30V, 55A, 5.9mohm
Hoja de datos
1,460En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 55 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 18.2 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL
Hoja de datos
5,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5,000

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 37 A 10.3 mOhms 20 V 2 V 7.3 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi NVMFS5C673NT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG
Hoja de datos
1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si Reel, Cut Tape
onsemi NVMFS5C426NWFHT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET
Hoja de datos
1,200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 235 A 1.3 mOhms 20 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 30V 1.2 MOHM PQFN56MP
Hoja de datos
2,927En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 2 Channel 30 V 57 A, 165 A - 20 V, - 12 V, 16 V, 20 V 3 V 7.9 nC, 43 nC - 55 C + 150 C 25 W, 41 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
Hoja de datos
2,920En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TCPAK-10 N-Channel 1 Channel 80 V 273 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 68 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
Hoja de datos
2,820En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT TCPAK57-10 N-Channel 1 Channel 40 V 273 A 1.49 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 92.2 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 200A
Hoja de datos
35,277En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 70 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL IN U8FL
Hoja de datos
90,524En existencias
76,500Se espera el 10/03/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 13.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL
Hoja de datos
8,546En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 277 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 100 nC - 55 C + 175 C 146 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET
Hoja de datos
5,901En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 930 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION
Hoja de datos
3,798En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000
Si SMD/SMT PQFN-88-8 N-Channel 1 Channel 60 V 398.2 A 810 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 165 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION
Hoja de datos
4,390En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000
Si SMD/SMT PQFN-88-8 N-Channel 1 Channel 40 V 554.5 A 420 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 126 nC - 55 C + 175 C 245.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V SG NCH
Hoja de datos
3,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 464 A 720 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 72 nC - 55 C + 175 C 294.6 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape