Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Resultados: 451
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH 2,418En existencias
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Carrete: 1,500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 102 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF 3,242En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 85 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL 8,979En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 26 A 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 3.8 nC - 55 C + 175 C 20 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL 15,280En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 6 nC - 55 C + 175 C 20 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET 1,148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 235 A 1.3 mOhms 20 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL 1,350En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 185 A 1.7 mOhms 20 V 3.5 V 47 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS 1,780En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 52 A 6.2 mOhms, 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 16 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO 598En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 370 A 560 uOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 139 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO 504En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 159 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 45.2 nC - 55 C + 175 C 77 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG 1,347En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 268 A 1.1 mOhms 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET 1,323En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 235 A 1.3 mOhms 20 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN 1,265En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET 698En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 150 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET 2,800En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si LFPAK-8 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK 3,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si LFPAK-8 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET 2,400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si LFPAK-4 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM 1,200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 15.2 nC - 55 C + 175 C 26 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG 1,168En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 268 A 1.1 mOhms 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET 1,200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 102 A 3.3 mOhms 20 V 3.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6D3F 40V NFET 8En existencias
4,500Se espera el 02/03/2026
Min.: 1
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Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 760 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl Pwr Trench MOSFET 120En existencias
6,000En pedido
Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT Power-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 13.5 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 45 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V POWER CLIP 2 37En existencias
6,000Se espera el 03/04/2026
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Carrete: 3,000
Si SMD/SMT WDFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 18.8 A 4.38 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 8 nC, 18 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN 2,604En existencias
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Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 8.2 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.52 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 1,498En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SO-8FL-Dual-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 748En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 Reel, Cut Tape