Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC RECT 1.2KV 40A RDL SIC SKY
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785En pedido
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC AECQ
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442Se espera el 06/04/2026
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC AECQ
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325Se espera el 09/07/2026
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
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450Se espera el 23/07/2026
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor Módulos de semiconductores discretos Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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Mult.: 1

Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor Módulos de semiconductores discretos SIC Pwr Module Chopper
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Plazo de entrega 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET SIC Pwr Module Half Bridge
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 4
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MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC DIODE: 8A 600V
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Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
MouseReel Disponible
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Carrete: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 450
Mult.: 450

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 6A, 2nd Gen
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Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2