Off-Board Charger Sub-Unit Power Converters

Littelfuse Off-Board Charger Sub-Unit Power Converters are required for DC charging stations capable of charging to 80% SOC in under 30 minutes. These fast-charging applications require modular power converters, which can be paralleled to cater to different power levels, thereby enabling fast charging. The most critical parameters are energy density and system efficiency. A sub-unit power converter in a DC charging station consists of an AC/DC power stage and DC/DC power stage integrated into the charging station.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 20A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 24A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 34A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 700V 4A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 12A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 700V 12A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 20A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 12A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 700V 12A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 700V 12A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 50

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 50

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ISOPLUS 650V 54A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 650V 34A N-CH X4CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 700V 4A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Integrated Circuits Controladores de puertas 9V 5-PIN TO-263 MOSFET DRIVER; 30A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 250
Mult.: 250

IXYS Integrated Circuits Controladores de puertas 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
Carrete: 2,000
IXYS Rectificadores 20 Amps 800V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas