STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Configuración
If - Corriente directa
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión directa
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo
Ir - Corriente inversa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Calificación
Empaquetado
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Hoja de datos
593En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole DO-247-2 Single 20 A 650 V 1.3 V 135 A 17 uA - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Hoja de datos
1,194Se espera el 02/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole DO-247-2 Single 20 A 650 V 1.3 V 135 A 17 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube