1 Mbit Memoria RAM magnetorresistiva

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Paquete / Cubierta
Tipo de interfaz
Tamaño de memoria
Organización
Ancho de bus de datos
Tiempo de acceso
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Corriente de suministro operativa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 QUAD SPI Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
913En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 105 C MR10Q010 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 128Kx8 QUAD SPI Memoria RAM magnetorresistiva 0 to +70C
Hoja de datos
899En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA 0 C + 70 C MR10Q010 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
1,038En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
282En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche SPI P-SRAM 1Mb in WSON8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
93En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

WSON-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 85 C AS3001101 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
227En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
4,094En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H10 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
1,888En existencias
8,000Se espera el 17/11/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H10 Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
321En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
434En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 128Kx8 QUAD SPI Memoria RAM magnetorresistiva -40 to +85C
Hoja de datos
475En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-24 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 85 C MR10Q010 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 128Kx8 QUAD SPI Memoria RAM magnetorresistiva -40 to +85C
Hoja de datos
275En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 85 C MR10Q010 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI
Hoja de datos
901En existencias
1,140Se espera el 03/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3V 128Kx8 Serial Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
335En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
675Se espera el 15/07/2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
270Se espera el 19/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,200
Mult.: 300

SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 4,000
Mult.: 4,000
: 4,000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,365
Mult.: 455

WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,200
Mult.: 300

SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 4,000
Mult.: 4,000
: 4,000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,365
Mult.: 455

WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel