IRF840 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 19
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRF8
No
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 8 Amp

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 20 V, 20 V - 65 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET 863En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-262-3 Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET 707En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET 1,283En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET 12,909En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET 1,920En existencias
4,000Se espera el 15/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 500V 8A N-CH MOSFET 5,052En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 500V 8A N-CH MOSFET 2,232En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET 1,356En existencias
2,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V 1,287En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET 998En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET 2,262En existencias
8,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET 3,149En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 8A N-CH MOSFET
9,900En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET 235En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 8.0 Amp 1,600Existencias disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / BC Components Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 8A N-CH MOSFET No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 Tube
Vishay / BC Components Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si Reel