HS1Q Diodos y rectificadores

Tipos de Diodos y rectificadores
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Vr - Tensión inversa
Vf - Tensión directa
If - Corriente directa
Taiwan Semiconductor Rectificadores 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier
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6,955En existencias
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Carrete: 7,500

Rectifiers SMD/SMT DO-214AC-2 1.2 kV 1.64 V 1 A
Taiwan Semiconductor Rectificadores 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier
Hoja de datos
2,756En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3,000

Rectifiers SMD/SMT DO-214AA-2 1.2 kV 1.62 V 1 A
Taiwan Semiconductor Rectificadores 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier
Hoja de datos
9,800En existencias
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Carrete: 14,000

Rectifiers SMD/SMT TSMA-2 1.2 kV 1.64 V 1 A
Taiwan Semiconductor Rectificadores 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier
Hoja de datos
9,800En existencias
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Carrete: 14,000

Rectifiers SMD/SMT SOD-128-2 1.2 kV 1.64 V 1 A
Taiwan Semiconductor Rectificadores 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier Automotive Qualified
Hoja de datos
9,800En existencias
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Carrete: 14,000

Rectifiers SMD/SMT TSMA-2 1.2 kV 1.64 V 1 A
Taiwan Semiconductor Rectificadores 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier
Hoja de datos
7,355En existencias
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Carrete: 7,500

Rectifiers SMD/SMT DO-214AC-2 1.2 kV 1.59 V 1 A
Taiwan Semiconductor Rectificadores 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier Automotive Qualified
Hoja de datos
9,730En existencias
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Carrete: 14,000

Rectifiers SMD/SMT SOD-128-2 1.2 kV 1.64 V 1 A
Taiwan Semiconductor Rectificadores 75ns, 1A, 1200V, High Efficient Recovery Rectifier
Hoja de datos
2,965En existencias
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Carrete: 3,000

Rectifiers SMD/SMT DO-214AA-2 1.2 kV 1.62 V 1 A
Toshiba Diodos Schottky de SiC G3 SiC-SBD 650V 4A TO-220-2L
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324En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 4 A
Toshiba Diodos Schottky de SiC SiC Schottky barrier diode;TO-247-2L; Vrrm=1200V; IF=40A; PD=454W
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65En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2L 1.27 V 102 A
Toshiba Diodos Schottky de SiC G3 SiC-SBD 650V 10A TO-220-2L
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93En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 10 A
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 38A RDL SIC SKY
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56En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.27 V 38 A
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 30A RDL SIC SKY
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67En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2L 1.27 V 83 A
Toshiba Diodos Schottky de SiC G3 SiC-SBD 650V 12A TO-220-2L
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136En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 12 A
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 61A RDL SIC SKY
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129En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.27 V 61 A
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
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15En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.27 V 50 A
Toshiba Diodos Schottky de SiC G3 SiC-SBD 650V 3A TO-220-2L
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31En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 3 A
Toshiba Diodos Schottky de SiC G3 SiC-SBD 650V 6A TO-220-2L
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287En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 6 A
Toshiba Diodos Schottky de SiC G3 SiC-SBD 650V 2A TO-220-2L
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10En existencias
250Se espera el 08/04/2026
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 2 A
Toshiba Diodos Schottky de SiC G3 SiC-SBD 650V 8A TO-220-2L
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31En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 1.2 V 8 A