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F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

Name: Infineon F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-F3L8MR12W2M1HPB1
Price: 140.96 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-F3L8MR12W2M1HPB1

Fabricante N.º:

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Módulos MOSFET 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module

Hoja de datos:

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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1,008	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	M1H
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	3-Phase Inverter
Producto:	SiC IGBT Modules
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Cantidad de empaque de fábrica:	18
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	EasyPACK CoolSiC
Alias de las piezas n.º:	F3L8MR12W2M1HP_B11 SP005562921

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CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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