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GP3T020A120H

Name: SemiQ GP3T020A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3T020A120H
Price: 16.35 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

148-GP3T020A120H

Fabricante N.º:

GP3T020A120H

Fabricante:

SemiQ

Descripción:

MOSFETs de SiC Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

Ciclo de vida:

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GP3T020A120H Hoja de datos (PDF)

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	$9.82	$98.20
	$9.80	$1,176.00
	$8.45	$4,309.50

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4L
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	280 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	25 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4.5 V, + 18 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	234 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	429 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	SemiQ
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	18 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	24 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	25 ns
Serie:	GP3T
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	SiC MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	59 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	19 ns

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GP3T020A120H Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

MXHTS:: 8541299900
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Taiwán
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Dispositivos discretos MOSFET de SiC GEN3 de 1,200 V

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.