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RF Power MOSFET Semiconductores

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C

ARF476FL
Microchip Technology
1: $205.91
8En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF476FL

N.º de artículo de Mouser
494-ARF476FL

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C

Hoja de datos

8En existencias

$205.91

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174

VRF151
Microchip Technology
1: $91.17
12En existencias
79Se espera el 21/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
VRF151

N.º de artículo de Mouser
494-VRF151

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174

Hoja de datos

12En existencias

79Se espera el 21/07/2026

$91.17

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177

VRF2933
Microchip Technology
1: $214.44
11En existencias
12Se espera el 26/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
VRF2933

N.º de artículo de Mouser
494-VRF2933

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177

Hoja de datos

11En existencias

12Se espera el 26/05/2026

$214.44

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF101BN
NXP Semiconductors
1: $51.53
152En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF101BN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF101BN

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Hoja de datos

152En existencias

$51.53

$35.67

$35.66

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V

AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
1: $30.32
216En existencias
1,000Se espera el 09/07/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MS031NR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031NR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V

Hoja de datos

216En existencias

1,000Se espera el 09/07/2026

Cinta cortada

$30.32

$23.35

$20.77

Envase tipo carrete

$20.59

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V

AFT09MS031NR1
NXP Semiconductors
1: $25.42
221En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT09MS031NR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031NR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V

Hoja de datos

221En existencias

Cinta cortada

$25.42

$20.27

$18.98

$18.43

Envase tipo carrete

$17.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V

MMRF1014NT1
NXP Semiconductors
1: $26.64
483En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MMRF1014NT1

N.º de artículo de Mouser
841-MMRF1014NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V

Hoja de datos

483En existencias

Cinta cortada

$26.64

$20.29

$18.15

$17.97

Envase tipo carrete

$17.50

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

GaN FETs 1-2690 MHz 125 W CW 50 V

MMRF5014HR5
NXP Semiconductors
1: $1,035.06
4En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MMRF5014HR5

N.º de artículo de Mouser
841-MMRF5014HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

GaN FETs 1-2690 MHz 125 W CW 50 V

Hoja de datos

4En existencias

Cinta cortada

$1,035.06

$874.42

Envase tipo carrete

$874.42

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N

MW6S004NT1
NXP Semiconductors
1: $31.27
480En existencias
1,000En pedido
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MW6S004NT1

N.º de artículo de Mouser
841-MW6S004NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N

Hoja de datos

480En existencias

1,000En pedido

Cinta cortada

$31.27

$24.61

$21.85

$21.76

Envase tipo carrete

$21.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1

ARF1510
Microchip Technology
1: $445.69
4En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF1510

N.º de artículo de Mouser
494-ARF1510

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1

Hoja de datos

4En existencias

$445.69

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz

SD2932BW
STMicroelectronics
1: $277.91
35En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2932BW

N.º de artículo de Mouser
511-SD2932BW

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz

35En existencias

$277.91

$236.86

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB

MRF160
MACOM
1: $145.12
5En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF160

N.º de artículo de Mouser
937-MRF160

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB

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Hoja de datos

5En existencias

$145.12

$120.72

$109.95

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

MWT-PH31F
CML Micro
1: $41.41
20En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH31F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH31F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

Hoja de datos

20En existencias

$41.41

$38.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

MWT-PH32F
CML Micro
1: $50.08
10En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH32F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH32F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

Hoja de datos

10En existencias

$50.08

$46.37

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-stage power MMIC

BLM7G1822S-40PBGY
Ampleon
1: $58.21
45En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLM7G1822S-40PBGY

N.º de artículo de Mouser
94-BLM7G1822S-40PBGY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-stage power MMIC

Hoja de datos

45En existencias

Cinta cortada

$58.21

$49.65

Envase tipo carrete

$41.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA030121EA-V1-R0
MACOM
1: $63.47
41En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PTVA030121EA-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA030121EA1R0

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

41En existencias

Cinta cortada

$63.47

$54.13

Envase tipo carrete

$54.13

$47.35

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA120251EA-V2-R0
MACOM
1: $69.24
7En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PTVA120251EA-V2-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA120251EA2R0

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

7En existencias

Cinta cortada

$69.24

$66.11

Envase tipo carrete

$66.11

$61.69

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V

AFT27S006NT1
NXP Semiconductors
1: $24.36
273En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT27S006NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT27S006NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V

Hoja de datos

273En existencias

Cinta cortada

$24.36

$19.41

$18.17

$17.60

Ver

Envase tipo carrete

$16.84

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V

MRFX035HR5
NXP Semiconductors
1: $175.89
7En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFX035HR5

N.º de artículo de Mouser
771-MRFX035HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V

Hoja de datos

7En existencias

Cinta cortada

$175.89

$137.02

Envase tipo carrete

$137.02

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz

MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
1: $454.22
11En existencias
50Se espera el 15/06/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFX1K80NR5

N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80NR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz

Hoja de datos

11En existencias

50Se espera el 15/06/2026

Cinta cortada

$454.22

$370.38

Envase tipo carrete

$370.38

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V

AFM906NT1
NXP Semiconductors
1: $4.82
147En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFM906NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFM906NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V

Hoja de datos

147En existencias

Cinta cortada

$4.82

$3.99

$3.38

$2.74

Envase tipo carrete

$2.74

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V

AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
1: $5.10
72En existencias
23,000Se espera el 09/07/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MS004NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS004NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V

Hoja de datos

72En existencias

23,000Se espera el 09/07/2026

Cinta cortada

$5.10

$3.52

$3.02

$2.91

Envase tipo carrete

$2.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5

MRF6V10010NR4
NXP Semiconductors
1: $223.87
1En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF6V10010NR4

N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V10010NR4

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5

Hoja de datos

1En existencias

Cinta cortada

$223.87

$184.50

Envase tipo carrete

$171.90

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) NFET SC88 60V 295MA 1.6OH

NVJD5121NT1G-M06
onsemi
1: $0.572
16,714En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVJD5121NT1G-M06

N.º de artículo de Mouser
863-NVJD5121NT1G-M06

onsemi

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) NFET SC88 60V 295MA 1.6OH

Hoja de datos

16,714En existencias

Cinta cortada

$0.572

$0.35

$0.221

$0.165

Envase tipo carrete

$0.114

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTFC270101M-V1-R1K
MACOM
1: $37.74
6En existencias
Pedido especial de fábrica

N.º de artículo del Fabricante
PTFC270101M-V1-R1K

N.º de artículo de Mouser
941-PTFC270101M1RK

Pedido especial de fábrica

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

6En existencias

Cinta cortada

$37.74

Ver

Envase tipo carrete

$32.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

RF Power MOSFET Semiconductores

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