Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
RBA40N10EANS-5UA11#HB0
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
RBE111N10R1SZN2#HB0
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
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Amplificador de RF Com Space Low, 30 kHz to 20 GHz LNA
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Amplificador de RF Com Space Low, 30 kHz to 20 GHz LNA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 200V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 200V
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Rectificadores y diodos Schottky 8A,100VG2PSKYSMPCRect.
SS8PH102-M3/I
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Rectificadores y diodos Schottky 8A,100VG2PSKYSMPCRect.
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
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Rectificadores y diodos Schottky 5A,100VG2PSKYSMPCRect.
SS5PH102HM3/I
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Rectificadores y diodos Schottky 5A,100VG2PSKYSMPCRect.
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Amplificador de RF Connectorized SMA, Medium Power Amplifier, 10 MHz to 1000 MHz, 50ohm
ZHL-10M1G01W1X+
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139-ZHL-10M1G01W1X+
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Mini-Circuits
Amplificador de RF Connectorized SMA, Medium Power Amplifier, 10 MHz to 1000 MHz, 50ohm
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
IPLT60R070CM8XTMA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
697 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
SSM6L826R,LF
Toshiba
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757-SSM6L826RLF
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V
SIHFUC20-GE3
Vishay Semiconductors
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78-SIHFUC20-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V
2,996 En existencias
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IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE
AFGB30T65RQDN
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863-AFGB30T65RQDN
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IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE
632 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL REFRESH - T6 40V (N-CH)
NVRGS042N04CLT1G
onsemi
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863-NVRGS042N04CLT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL REFRESH - T6 40V (N-CH)
1,477 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
ST8L65N065DM9
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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$5.99
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
IAUCN04S7N027GATMA1
Infineon Technologies
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726-IAUCN04S7N027GAT
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
1,750 En existencias
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Amplificador de RF Connectorized SMA, Medium Power Amplifier, 10 MHz to 1000 MHz, 50ohm
ZHL-10M1G01W0+
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139-ZHL-10M1G01W0+
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Mini-Circuits
Amplificador de RF Connectorized SMA, Medium Power Amplifier, 10 MHz to 1000 MHz, 50ohm
1 En existencias
2 Se espera el 09/09/2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package
STB25N018M9
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511-STB25N018M9
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
IAUCN04S7N037GATMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
1,750 En existencias
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Rectificadores y diodos Schottky 20A,100VG2PSKYSMPCRect.
SS20PH102-M3/I
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13,000 Se espera el 05/10/2026
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78-SS20PH102-M3/I
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Rectificadores y diodos Schottky 20A,100VG2PSKYSMPCRect.
1,400 En existencias
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Rectificadores y diodos Schottky 20A,100VG2PSKYSMPCRect.
SS20PH102HM3/I
Vishay Semiconductors
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78-SS20PH102HM3/I
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Vishay Semiconductors
Rectificadores y diodos Schottky 20A,100VG2PSKYSMPCRect.
1,400 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET 20V 890 mA 350 mOhm Single N-Channel with ESD Protection
NTK3134NT3G
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863-NTK3134NT3G
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onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET 20V 890 mA 350 mOhm Single N-Channel with ESD Protection
5,964 En existencias
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Amplificador de RF Connectorized SMA, Medium Power Amplifier, 10 MHz to 1200 MHz, 50ohm
ZHL-10M1G21W0+
Mini-Circuits
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N.º de artículo de Mouser
139-ZHL-10M1G21W0+
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Amplificador de RF Connectorized SMA, Medium Power Amplifier, 10 MHz to 1200 MHz, 50ohm
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Controladores de puertas 300 V rms dual-ch isolated GD
2EDF7258GXTMA1
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N.º de artículo de Mouser
726-2EDF7258GXTMA1
Nuevo producto
Infineon Technologies
Controladores de puertas 300 V rms dual-ch isolated GD
1,000 En existencias
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$3.38
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Mult.: 1
Carrete :
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