Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 250V 0.035 Rds
IXTQ82N25P
IXYS
1:
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N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ82N25P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 250V 0.035 Rds
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MOSFETs
Si
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TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds
IXTQ88N30P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds
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MOSFETs
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TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
2SA1943N(S1,E,S)
Toshiba
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2,125 Se espera el 29/06/2026
N.º de artículo de Mouser 757-2SA1943N(S1ES)
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
1,474 En existencias
2,125 Se espera el 29/06/2026
1
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
2SC5200N(S1,E,S)
Toshiba
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor NPN 230V 15A
2SC5359-O(Q)
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Transistor NPN 230V 15A
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W
NJW0281G
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onsemi
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
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TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W
NJW0302G
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1,470 Se espera el 06/07/2026
N.º de artículo de Mouser 863-NJW0302G
onsemi
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 150W
1,451 En existencias
1,470 Se espera el 06/07/2026
Embalaje alternativo
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W TO-3P PNP
NJW1302G
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W TO-3P PNP
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BJTs - Bipolar Transistors
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W NPN
NJW21194G
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onsemi
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W NPN
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
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TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
2SA1943-O(S1,F
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
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BJTs - Bipolar Transistors
Through Hole
TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pb-FPOWERTRANSISTORTO-3PLPC=150WF=100KHZ
2SC5200-O(S1,F
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N.º de artículo de Mouser 757-2SC5200-OS1F
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pb-FPOWERTRANSISTORTO-3PLPC=150WF=100KHZ
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BJTs - Bipolar Transistors
Through Hole
TO-3P-3
IGBTs 600V/30A DIS
360°
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GT30J121(Q)
Toshiba
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Toshiba
IGBTs 600V/30A DIS
137 En existencias
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W PNP
NJW21193G
onsemi
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onsemi
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 200W PNP
416 En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN TO-3P POWER TRANS
NJW44H11G
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N.º de artículo de Mouser 863-NJW44H11G
onsemi
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN TO-3P POWER TRANS
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 230V 15A
2SC5200-O(Q)
Toshiba
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NRND
N.º de artículo de Mouser 757-2SC5200-O(Q)
NRND
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 230V 15A
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11,500 Se espera el 11/09/2026
Plazo de entrega de fábrica:
23 Semanas
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100
$2.47
500
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-3P-3
SCR 50 Amp 1200 Volt
BTW69-1200RG
STMicroelectronics
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N.º de artículo de Mouser 511-BTW69-1200
STMicroelectronics
SCR 50 Amp 1200 Volt
134 En existencias
4,200 En pedido
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Existencias:
134 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1,800 Se espera el 02/09/2026
2,400 Se espera el 12/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas
1
$8.98
10
$5.15
100
$4.29
600
$3.98
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SCRs
Through Hole
TO-3P-3
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
STGWT40HP65FB
STMicroelectronics
1:
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831 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGWT40HP65FB
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
831 En existencias
1
$4.59
10
$2.50
100
$2.04
600
$1.66
1,200
$1.59
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-3P-3
Diodos de Conmutación de Señal Baja 120 Amps 300V
DPG120C300QB
IXYS
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N.º de artículo de Mouser 747-DPG120C300QB
IXYS
Diodos de Conmutación de Señal Baja 120 Amps 300V
28 En existencias
1
$17.84
10
$10.82
120
$9.53
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Detalles
Diodes - General Purpose, Power, Switching
Through Hole
TO-3P-3
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 200V
DPG60C200QB
IXYS
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$11.36
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N.º de artículo de Mouser 747-DPG60C200QB
IXYS
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 200V
19 En existencias
1
$11.36
10
$6.60
120
$5.55
510
$5.25
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Detalles
Diodes - General Purpose, Power, Switching
Through Hole
TO-3P-3
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 300V
DPG60C300QB
IXYS
1:
$11.36
9 En existencias
N.º de artículo de Mouser 747-DPG60C300QB
IXYS
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 300V
9 En existencias
1
$11.36
10
$6.60
120
$5.55
510
$5.25
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Diodes - General Purpose, Power, Switching
Through Hole
TO-3P-3
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 400V
DPG60C400QB
IXYS
1:
$12.62
30 En existencias
N.º de artículo de Mouser 747-DPG60C400QB
IXYS
Diodos de Conmutación de Señal Baja 60 Amps 400V
30 En existencias
1
$12.62
10
$7.41
120
$6.25
510
$6.03
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Diodes - General Purpose, Power, Switching
Through Hole
TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
IXFQ26N50P3
IXYS
1:
$13.23
286 En existencias
N.º de artículo de Mouser 747-IXFQ26N50P3
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
286 En existencias
1
$13.23
10
$9.04
120
$6.83
510
$6.57
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$6.20
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
IXFQ94N30P3
IXYS
1:
$20.44
166 En existencias
N.º de artículo de Mouser 747-IXFQ94N30P3
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
166 En existencias
1
$20.44
10
$12.51
120
$12.16
510
$11.30
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds
IXTQ110N10P
IXYS
1:
$13.30
89 En existencias
N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ110N10P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 100V 0.015 Rds
89 En existencias
1
$13.30
10
$9.09
120
$6.45
510
$6.33
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-3P-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
IXTQ14N60P
IXYS
1:
$9.45
220 En existencias
N.º de artículo de Mouser 747-IXTQ14N60P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
220 En existencias
1
$9.45
10
$5.42
120
$4.52
510
$4.17
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-3P-3
México
