Diodos de Conmutación de Señal Baja SWITCHING DIODE GENPURP SOD323
1N4448WS-HE3_A-08
Vishay
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78-1N4448WS-HE3_A-08
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Vishay
Diodos de Conmutación de Señal Baja SWITCHING DIODE GENPURP SOD323
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Capacitores de películas MKP 1848C 65 F 5 500V=
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594-MKP1848C66550JP2
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Vishay / Roederstein
Capacitores de películas MKP 1848C 65 F 5 500V=
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Rectificadores y diodos Schottky SCHOTTKY DIODE SOD323
BAS170WS-HE3_A-08
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78-BAS170WS-HE3_A-08
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Rectificadores y diodos Schottky SCHOTTKY DIODE SOD323
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Atenuadores - interrelacionados 10dB RF fixed attenuator 2W, DC to 6GHz, SMA male to female, Stainless Steel
PE7602-10
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Diodos de Conmutación de Señal Baja SWITCHING DIODE GENPURP SOD323
1N4148WS-HG3_A-08
Vishay
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78-1N4148WS-HG3_A-08
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Diodos de Conmutación de Señal Baja SWITCHING DIODE GENPURP SOD323
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Acondicionamiento de señales 3 Way SMA Wilkinson Power Divider From 690 MHz to 2.7 GHz Rated at 10 Watts
PE2090
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Acondicionamiento de señales 3 Way SMA Wilkinson Power Divider From 690 MHz to 2.7 GHz Rated at 10 Watts
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Acondicionamiento de señales 4 Way SMA Power Divider from 800 MHz to 2.5 GHz Rated at 20 Watts
PE20DV012
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28-PE20DV012
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Acondicionamiento de señales 4 Way SMA Power Divider from 800 MHz to 2.5 GHz Rated at 20 Watts
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Capacitores de películas MKP 1848C 50 F 5 600V=
MKP1848C65060JP2
Vishay / Roederstein
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75-MKP1848C65060JP2
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Vishay / Roederstein
Capacitores de películas MKP 1848C 50 F 5 600V=
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Diodos Zener ZENER DIODE SOD323
BZX384C16-HE3_A08
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78-BZX384C16-HE3_A08
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Vishay
Diodos Zener ZENER DIODE SOD323
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Amplificador de RF SMT MMIC, Low Noise, Linear, Gain Block Amplifier, 0.01 GHz to 12 GHz, 50ohm, 2x2 mm QFN Style
PMA2-123LNW+
Mini-Circuits
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139-PMA2-123LNW+
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Mini-Circuits
Amplificador de RF SMT MMIC, Low Noise, Linear, Gain Block Amplifier, 0.01 GHz to 12 GHz, 50ohm, 2x2 mm QFN Style
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
ISC034N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
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726-ISC034N08NM7ATMA
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
3,462 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
STWA60N028T
STMicroelectronics
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511-STWA60N028T
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STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ461EP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
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78-SQJ461EP-T1_NE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
1,922 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ463EP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
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78-SQJ463EP-T1_NE3
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Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
4,413 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
Infineon Technologies
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726-IQEH42NE2LM7ZCGS
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
3,444 En existencias
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$1.85
6,000
$1.85
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
ISCH57N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
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4,000 Se espera el 06/08/2026
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726-ISCH57N04NM7VSCA
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
1,400 En existencias
4,000 Se espera el 06/08/2026
1
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1,000
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$1.79
1,000
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2,500
$1.79
4,000
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MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V
IMZA75R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
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MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V
361 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
ISC024N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
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726-ISC024N08NM7ATMA
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
ISC008N06LM6ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-ISC008N06LM6ATMA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
3,052 En existencias
1
$5.34
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1,000
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5,000
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5,000
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Acondicionamiento de señales Thin Film SMT Band Pass Filter, 6100 - 6900 MHz, 50?
ABF-6R5G+
Mini-Circuits
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N.º de artículo de Mouser
139-ABF-6R5G+
Nuevo producto
Mini-Circuits
Acondicionamiento de señales Thin Film SMT Band Pass Filter, 6100 - 6900 MHz, 50?
54 En existencias
1
$203.16
10
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$176.85
50
$171.93
100
$171.93
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500
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Mult.: 1
Carrete :
100
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7
IAUCN08S7N036TATMA1
Infineon Technologies
1:
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2,995 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N036TAT
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7
2,995 En existencias
1
$3.97
10
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100
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1,000
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Mult.: 1
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2,000
Detalles
MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V
IMZA75R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
$43.45
443 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IMZA75R007M2HXKS
Nuevo producto
Infineon Technologies
MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V
443 En existencias
1
$43.45
10
$35.54
100
$31.41
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQRS160EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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6,000 Se espera el 21/05/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
78-SQRS160EP-T1_GE3
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
1,990 En existencias
6,000 Se espera el 21/05/2026
1
$5.10
10
$4.16
100
$3.42
500
$2.80
3,000
$1.77
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Detalles
Resistores bobinados - a través de orificio FWFU 5W 1R2 5%
1-2176794-1
TE Connectivity / Neohm
1:
$1.94
984 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
279-1-2176794-1
Nuevo producto
TE Connectivity / Neohm
Resistores bobinados - a través de orificio FWFU 5W 1R2 5%
984 En existencias
1
$1.94
10
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25
$0.911
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10,000
$0.411
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Resistores bobinados - a través de orificio FWFU 5W 2R0 5%
1-2176794-6
TE Connectivity / Neohm
1:
$1.94
842 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
279-1-2176794-6
Nuevo producto
TE Connectivity / Neohm
Resistores bobinados - a través de orificio FWFU 5W 2R0 5%
842 En existencias
1
$1.94
10
$1.12
25
$0.911
100
$0.683
250
Ver
250
$0.61
500
$0.543
1,000
$0.499
5,000
$0.437
10,000
$0.411
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Min.: 1
Mult.: 1
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