HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Resultados: 720
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Hoja de datos
450Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 63 A 43 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 267 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/12A OVERMOLDED TO-220
Hoja de datos
500Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 16A N-CH POLAR
Hoja de datos
800Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 470 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 347 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4 Amps 1000V
Hoja de datos
400Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 4 A 3.3 Ohms - 20 V, 20 V 6 V 26 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET
Hoja de datos
600Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
840Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
420Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 50 nC - 55 C + 150 C 695 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
420Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 94 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
780Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 96 nC 1.04 mW HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 850V 30A N-CH XCLASS
Hoja de datos
1,320Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 300
Mult.: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 850 V 30 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 695 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/60A TO-268HV
Hoja de datos
780Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 300
Mult.: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27 Amps 800V 0.32 Rds
Hoja de datos
750Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 27 A 320 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Hoja de datos
450Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 170 V 320 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 640 nC - 55 C + 175 C 1.67 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 800V 0.27 Rds
Hoja de datos
720Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 32 A 270 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 44A
Hoja de datos
300Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 330 nC - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 48A
Hoja de datos
840Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 135 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 850V 4A N-CH XCLASS
Hoja de datos
1,610Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130 Amps 100V 8.5 Rds
Hoja de datos
750Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 8.5 mOhms - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 220 Amps 40V 0.0035 Rds
Hoja de datos
50Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 220 Amps 40V 0.0035 Rds
Hoja de datos
1,200Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 300
Mult.: 50
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 Amps 100V 13.0 Rds
Hoja de datos
450Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 105 V 80 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 60 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 86 Amps 200V 29 Rds
Hoja de datos
650Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 300
Mult.: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 29 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 175 C 480 W HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 12A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
1,470Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 17.7 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130 Amps 100V 8.5 Rds
Hoja de datos
420Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 104 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 150V 18 Rds
Hoja de datos
300Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 300
Mult.: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 102 A 18 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 455 W Enhancement HiPerFET Tube