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SI3134KU6-TP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SI3134KU6-TP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SI3134KU6-TP
Price: 0.46 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

833-SI3134KU6-TP

Fabricante N.º:

SI3134KU6-TP

Fabricante:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,DFN1010B-6

Ciclo de vida:

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	$0.105	$105.00
	$0.10	$250.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	$0.081	$405.00
	$0.072	$720.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-1010B-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	750 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	250 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.2 V
Qg - Carga de puerta:	1.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	420 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5.7 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5.2 ns
Serie:	SI3134KU6
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	10.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.4 ns

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Hoja de datos

SI3134KU6-TP Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

SI3134KU6 Small Signal Dual N-Channel MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) SI3134KU6 Small Signal Dual N-Channel MOSFET is a 20V device meticulously designed for high-speed switching. The ultra-compact DFN1010 package only takes up 1mm x 1mm of space while delivering a low input gate charge and ESD-protected gate input up to 2kV. The SI3134KU6 MOSFET leverages trench LV MOSFET technology and MCC reliability to offer users the ideal component for motherboards, charging circuits, automation controls, and more.