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NTBL045N065SC1

Name: onsemi NTBL045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL045N065SC1
Price: 17.43 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTBL045N065SC1

Fabricante N.º:

NTBL045N065SC1

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC SIC MOS TOLL 650V

Hoja de datos:

NTBL045N065SC1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$10.02	$1,002.00
	$9.49	$9,490.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	$9.49	$18,980.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PSOF-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	73 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	50 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.3 V
Qg - Carga de puerta:	105 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	348 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	7 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	16 S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	14 ns
Serie:	NTBL045N065SC1
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	26 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13 ns

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Hoja de datos

NTBL045N065SC1 Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

MXHTS:: 8541299900
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: Filipinas
País de difusión:: República de Corea

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Heat Pumps

The heat pump stands as a cornerstone of the global shift towards secure and sustainable heating, harnessing low-emissions electricity to provide reliable warmth. While its primary function is heating, innovative reverse cycle models also offer cooling capabilities. Moreover, by efficiently recovering waste heat and elevating its temperature to practical levels, heat pumps hold immense potential for energy conservation. As businesses pivot towards a low-carbon future, there's a growing demand for more efficient power semiconductors. Balancing cost, footprint, and efficiency is paramount in this pursuit. onsemi Intelligent Power Modules (IPMs) emerge as a noteworthy solution within the heat pump market, offering compact design, high power density, and advanced control features.

NTBL045N065SC1 33mohm Silicon Carbide MOSFET

onsemi NTBL045N065SC1 33mohm Silicon Carbide MOSFET is housed in a TOLL NTBL045N065SC1 package and designed to be fast and rugged. The devices offer a 10x higher dielectric breakdown field strength and 2x higher electron saturation velocity. The MOSFETs also offer a 3x higher energy band gap and 3x higher thermal conductivity. All onsemi SiC MOSFETs include AEC-Q101 qualified and PPAP-capable options specifically engineered and qualified for automotive and industrial applications.