BUK7Q N-Channel MOSFET in MLPAK33-WF Package

Nexperia BUK7Q N-Channel MOSFETs in an MLPAK33-WF Package (SOT8002-3D) use Trench 9 technology. Qualified to meet AEC-Q101 requirements at 175°C, they offer a small footprint for compact designs. Nexperia BUK7Q has side-wettable flanks that provide robust solder joints and automated optical inspection.

Resultados: 5
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Q4R9-40H/SOT8002 /MLPAK33
Hoja de datos
750En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 4.9 mOhms 20 V 3.6 V 29 nC - 55 C + 175 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Q6R0-40H/SOT8002 /MLPAK33
Hoja de datos
744En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 73 A 6 mOhms 20 V 3.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Q7R5-40H/SOT8002 /MLPAK33
Hoja de datos
750En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 55 A 7.5 mOhms 20 V 3.6 V 17 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Q8R4-40H/SOT8002/MLPAK33
Hoja de datos
450En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-WF-8 N-Channel 1 Channel 40 V 57 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 16 nC - 55 C + 175 C 51 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Q9R5-40H/SOT8002/MLPAK33
Hoja de datos
433En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-WF-8 N-Channel 1 Channel 40 V 51 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 14 nC - 55 C + 175 C 47 W Enhancement Reel, Cut Tape