Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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30V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 30V HEXFET® Power MOSFETs are designed for high density applications requiring small size, high efficiency and improved thermal conduction, making them ideally suited for notebook applications and point-of-load (POL) converters used in servers, as well as advanced telecom and datacom systems. These 30V HEXFET Power MOSFETs offer significant gate oxide improvement over previous generations and provide high performance as part of a system-wide solution to optimize 12V_IN / 1V to 3V_OUT DC-DC synchronous buck converter applications.

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Resultados: 34

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC

IRLR7843TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.988
5,611En existencias

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IRLR7843TRPBF

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942-IRLR7843TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC

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$0.988

$0.87

$0.688

$0.659

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$0.559

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Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

161 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

140 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC060N10NS3 G
Infineon Technologies
1: $3.54
16,231En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC060N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC060N10NS3G

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

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Cinta cortada

$3.54

$2.26

$1.55

$1.28

Envase tipo carrete

$1.04

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

BSS315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $0.533
13,517En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS315PH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS315PH6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3

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13,517En existencias

Cinta cortada

$0.533

$0.33

$0.208

$0.156

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$0.104

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

1.5 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

2.3 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Dual power MOSFET 30V

ISA220280C03LMDSXTMA1
Infineon Technologies
1: $0.871
468En existencias
Nuevo producto

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ISA220280C03LMDSXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISA220280C03LMDS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Dual power MOSFET 30V

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468En existencias

Cinta cortada

$0.871

$0.684

$0.51

$0.40

Envase tipo carrete

$0.263

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

DSO-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

8.1 A, 8.4 A

22 mOhms, 28 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

8.9 nC, 7.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 3.2A 100mOhm 6.4nC LogLvl

IRLMS1503TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.858
5,895En existencias
NRND

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IRLMS1503TRPBF

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942-IRLMS1503TRPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 3.2A 100mOhm 6.4nC LogLvl

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5,895En existencias

Cinta cortada

$0.858

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$0.338

$0.256

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$0.19

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

30 V

3.2 A

200 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

6.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ160N10NS3 G
Infineon Technologies
1: $2.76
1,065En existencias

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BSZ160N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ160N10NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

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1,065En existencias

Cinta cortada

$2.76

$1.77

$1.22

$1.03

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$0.766

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl

IRLML2803TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.52
65,663En existencias
465,050En pedido

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IRLML2803TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML2803TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl

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465,050En pedido

Cinta cortada

$0.52

$0.316

$0.199

$0.148

Envase tipo carrete

$0.107

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

1.2 A

400 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

3.3 nC

- 55 C

+ 150 C

540 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg

IRF7862TRPBF
Infineon Technologies
1: $1.91
7,456Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF7862TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7862TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg

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7,456Se espera el 16/02/2026

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$1.91

$1.20

$0.807

$0.641

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$0.486

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Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

30 V

21 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

IPD031N03LGATMA1
Infineon Technologies
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Plazo de entrega 15 Semanas

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IPD031N03LGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD031N03LGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

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Plazo de entrega 15 Semanas

Cinta cortada

$1.14

$0.891

$0.758

$0.728

Envase tipo carrete

$0.585

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

90 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

30V HEXFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.2 A
1.5 A
2.7 A
3 A
3.2 A
3.5 A
3.6 A
4.6 A
4.7 A
4.7 A, 3.5 A
4.9 A
5.1 A
5.3 A
6.5 A
7.3 A, 5.3 A
8.1 A, 8.4 A
9.1 A, 11 A
10 A
14 A
18 A

1.95 mOhms
2.6 mOhms
3.04 mOhms
3.2 mOhms
3.7 mOhms
4.2 mOhms
4.5 mOhms
5.1 mOhms
5.3 mOhms
6.8 mOhms
7.5 mOhms
8.7 mOhms
14 mOhms
17.1 mOhms, 11.5 mOhms
22 mOhms, 28 mOhms
27 mOhms
29 mOhms
35 mOhms
46 mOhms
50 mOhms

1 nC
2.3 nC
2.6 nC
3.3 nC
6.4 nC
6.7 nC, 14 nC
8.1 nC
8.9 nC, 7.2 nC
12 nC
14 nC, 12 nC
15 nC
16.7 nC
17 nC
20 nC
22 nC
23 nC
24 nC
25 nC
27 nC
29 nC