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NVMYS4D5N04CTWG

Name: onsemi NVMYS4D5N04CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS4D5N04CTWG
Price: 2.18 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVMYS4D5N04CTWG

Fabricante N.º:

NVMYS4D5N04CTWG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL LFPAK

Hoja de datos:

NVMYS4D5N04CTWG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$0.667	$667.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.612	$1,836.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	80 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	18 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	55 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	57 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	80 ns
Serie:	NVMYS4D5N04C
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	26 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns

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Hoja de datos

NVMYS4D5N04CTWG Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMYS4D5N04C Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMYS4D5N04C Single N-Channel Power MOSFETs are engineered for automotive applications and encased in a 5mm x 6mm LFPAK package. The onsemi NVMYS4D5N04C facilitates compact and efficient designs while ensuring high thermal performance. The MOSFETs are AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications that demand enhanced board-level reliability.