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Infineon Technologies offers tailor-made semiconductors that consider customers’ priorities - price/performance vs. (ultra) high power density. The portfolio comprises the entire USB-C™ source product chain, ranging from HV/LV power switches to PWM controllers, USB-C controllers for power delivery, and ESD protection devices.

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BSC039N06NSATMA1

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BSC040N08NS5ATMA1

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BSC0501NSIATMA1
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BSC0501NSIATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC066N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: $2.24
7,717En existencias
7,300Se espera el 16/04/2026

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BSC066N06NSATMA1

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726-BSC066N06NSATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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BSC074N15NS5ATMA1
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BSC074N15NS5ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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$5.92

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$3.09

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$2.46

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

BSC094N06LS5ATMA1
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1: $1.90
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9,953Se espera el 26/02/2026

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BSC094N06LS5ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

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7,006En existencias

9,953Se espera el 26/02/2026

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$0.624

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8

BSC097N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: $1.83
4,631En existencias
5,000Se espera el 07/05/2026

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BSC097N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC097N06NSATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5

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BSC098N10NS5ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5

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