Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Si72 MOSFETs

Vishay Si72 MOSFETs feature TrenchFET® power MOSFET technology for enhanced performance. The Vishay Si72 MOSFETs are Encased in a thermally enhanced PowerPAK® package. The devices ensure efficient heat dissipation and are PWM optimized, providing precise control for various applications. With 100% Rg and UIS testing, the devices' reliability is thoroughly validated.

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Resultados: 11

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7216DN-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: $3.07
9,213En existencias

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SI7216DN-T1-E3

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781-SI7216DN-T1-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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$1.06

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Envase tipo carrete

$0.905

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

2 Channel

40 V

6 A

32 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

19 nC

- 50 C

+ 150 C

20.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7216DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: $3.07
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SI7216DN-T1-GE3

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781-SI7216DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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Cinta cortada

$3.07

$1.50

$1.33

$1.06

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

2 Channel

40 V

6 A

32 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

19 nC

- 50 C

+ 150 C

20.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7212DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: $3.41
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SI7212DN-T1-GE3

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781-SI7212DN-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

2 Channel

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6.8 A

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- 12 V, 12 V

600 mV

11 nC

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+ 150 C

2.6 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 28.7A

SI7252ADP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: $3.60
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SI7252ADP-T1-GE3

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78-SI7252ADP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 28.7A

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$3.60

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$1.60

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MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

100 V

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- 20 V, 20 V

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+ 150 C

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Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7252DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI7252DP-T1-GE3

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78-SI7252DP-T1-GE3

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

100 V

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- 20 V, 20 V

1.5 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7223DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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4,197En existencias
6,000Se espera el 14/09/2026

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SI7223DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI7223DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

P-Channel

2 Channel

30 V

6 A

26.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

26.3 nC

- 55 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7288DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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18,720En existencias

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SI7288DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7288DP-T1-GE3

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Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

15.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7212DN-T1-E3
Vishay Semiconductors
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SI7212DN-T1-E3

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781-SI7212DN-T1-E3

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

2 Channel

30 V

6.8 A

36 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

11 nC

- 55 C

+ 150 C

2.6 W

Enhancement

TrenchFET

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SI7234DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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3,993En existencias
9,000En pedido

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781-SI7234DP-T1-GE3

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: 3,000

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60 A

3.4 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

37 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7272DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: $2.87
233En existencias
12,000Se espera el 14/01/2028

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SI7272DP-T1-GE3

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781-SI7272DP-GE3

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233En existencias

12,000Se espera el 14/01/2028

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$2.87

$1.81

$1.22

$0.958

$0.878

Envase tipo carrete

$0.811

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Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

30 V

25 A

9.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7232DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: $2.07
38,997Se espera el 25/11/2027

N.º de artículo del Fabricante
SI7232DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7232DN-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

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$2.07

$1.18

$0.846

$0.654

$0.568

Envase tipo carrete

$0.463

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Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

2 Channel

20 V

25 A

16.4 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

32 nC

- 55 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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