Low Noise FETs & ICs

CEL Low Noise FETs and ICs exhibit low noise figures and high associated gains, delivering exceptional noise figure performance at frequencies past 20GHz. These products are available in both ceramic and plastic packages that uphold the renowned Japanese manufacturing quality and reliability. The low-noise FETs and amplifier ICs offer better RF performance than other pHEMTs. Target markets for the devices include Digital Broadcast Systems (DBS), Low Noise Block (LNB) downconverters, and Very Small Aperture Terminal Satellite (VSAT) communication systems. Other typical applications include microwave communication systems, motion detectors, traffic monitoring, collision avoidance, and presence detections.

Resultados: 11
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
CEL Amplificador de RF LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB
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3,212En existencias
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: 5,000

CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
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6,099En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
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5,803En existencias
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Min.: 1
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: 10,000

CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
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2,661En existencias
Min.: 1
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CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
Hoja de datos
12,202En existencias
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Min.: 1
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: 15,000

CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
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13,110En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 15,000

CEL Amplificador de RF LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB
Hoja de datos
239En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
Hoja de datos
290En existencias
1,090Se espera el 23/07/2026
Min.: 1
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CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
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118En existencias
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CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
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220Se espera el 23/07/2026
Min.: 1
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CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
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No en existencias
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Mult.: 15,000
: 15,000