ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.

Resultados: 80
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) 94En existencias
2,400Se espera el 21/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 8.9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 33 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement ThunderFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220 1,085En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 131 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 81 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs TO-220
1,950Se espera el 23/03/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 128 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement ThunderFET Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-75
33,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SC-75-6 N-Channel 1 Channel 100 V 6.3 A 153 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 5 nC - 55 C + 150 C 13 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-220 FULLPAK No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 42.8 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 33 nC - 55 C + 150 C 35.7 W Enhancement ThunderFET Tube