Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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+ 175 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

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40 V

166 A

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40 V

381 A

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188 W

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TDSON-FL-8

N-Channel

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40 V

100 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

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BSZ063N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.42
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BSZ063N04LS6ATMA1

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726-BSZ063N04LS6ATMA

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$0.987

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40 V

40 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

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BSZ024N04LS6ATMA1
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BSZ024N04LS6ATMA1

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TSDSON-FL-8

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40 V

40 A

2.8 mOhms

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25 nC

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