QPD0007TR13

Qorvo
772-QPD0007TR13
QPD0007TR13

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs 3.4-3.8GHz 15W 50V GaN Single Channel

Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
Marca: Qorvo
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: MY
Empaquetado: Reel
Tipo de producto: GaN FETs
Serie: QPD0007
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Alias de las piezas n.º: QPD0007
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USHTS:
8541497080
ECCN:
5A991.b

QPD0007 GaN RF Transistors

Qorvo QPD0007 GaN RF Transistors are single-path discrete GaN on SiC high-electron-mobility transistors (HEMTs) in a DFN package. These Qorvo RF transistors are single-stage, unmatched transistors capable of delivering a P3dB output power of 20W at +48V operation. The QPD0007 transistors operate in the DC to 5GHz frequency range and offer 73% drain efficiency at 3.5GHz. Typical applications include WCDMA/LTE, macrocell base station, microcell base station, general-purpose, small cell, active antenna, and 5G massive MIMO.