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QPD1016L

Name: Qorvo QPD1016L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1016L
Price: 1479.6 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

772-QPD1016L

Fabricante N.º:

QPD1016L

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

GaN FETs DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr

Hoja de datos:

QPD1016L Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	NI-780
Polaridad del transistor:	P-Channel
Id - Corriente de drenaje continua:	1 A
Dp - Disipación de potencia :	714 W
Marca:	Qorvo
Ganancia:	18 dB
Voltaje máximo drenaje-puerta:	50 V
Frecuencia de trabajo máxima:	1.7 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	0 Hz
Sensibles a la humedad:	Yes
Potencia de salida:	537 W
Empaquetado:	Waffle
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD1016L
Cantidad de empaque de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

QPD1016L GaN RF Transistor

Qorvo QPD1016L GaN RF Transistor is a 500W (P3dB) pre-matched discrete Gallium Nitride on Silicon Carbide High-Electron Mobility Transistor (GaN on SiC HEMT) operating from DC to 1.7GHz. The QPD1016L provides a linear gain of 18dB at 1.3GHz and features a drain efficiency of 67% at 3dB compression. The device can support pulsed and linear operations.