Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
TK55S10N1,LQ
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-TK55S10N1LQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
55 A
5.5 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVIII-H
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
TK100S04N1L,LQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
1.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
76 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
TJ60S04M3L(T6L1,NQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
60 A
6.3 mOhms
- 20 V, 10 V
3 V
125 nC
- 55 C
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90 W
Enhancement
AEC-Q100
U-MOSVI
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
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N.º de artículo de Mouser 757-TJ80S04M3LT6L1NQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
80 A
5.2 mOhms
100 W
AEC-Q100
U-MOSVI
Reel
México