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IRLML0040TRPBF

Name: Infineon IRLML0040TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRLML0040TRPBF
Price: 0.61 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

942-IRLML0040TRPBF

Fabricante N.º:

IRLML0040TRPBF

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 3.6A 56mOhm 2.6nC Qg

Hoja de datos:

IRLML0040TRPBF Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Plazo de entrega de fábrica:: 17

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.611	$0.61
	$0.334	$3.34
	$0.212	$21.20
	$0.177	$88.50
	$0.159	$159.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.12	$360.00
	$0.113	$678.00
	$0.09	$810.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3.6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	78 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	2.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.3 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HEXFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4.3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	6.2 s
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5.4 ns
Serie:	N-Channel
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	6.4 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.1 ns
Peso de la unidad:	8 mg

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Product Catalogs

SPICE Models

Spice Model - IRLML0040TRPBF

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MXHTS:: 8541299900
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Resonant Wireless Charging - Consumer Applications

Infineon Technologies Resonant Wireless Charging - Consumer Applications takes the lead in fast switching in power transfer topologies. With excellent figure of merit (FOM) for gate charge times, R_DS(on) and Coss, these charging solutions enable 6.78MHz inverter designs. Advanced power MOSFET technology addresses frequency switching implementations, especially in the 30-10V areas for class D inverter designs and in the 150-250V voltage class for class E inverter designs.

Wireless Charging Solutions

Infineon Wireless Charging Solutions meet today's growing demand for wireless charge applications like smartphones, wearables, notebooks, and low-voltage drive devices. Infineon's highly efficient and cost-effective devices enable state-of-the-art solutions for the transmitter unit for inductive and resonant standards. Infineon devices are ready-to-use for the adapter/charger, fostering time-to-market of full wireless charging solutions. Infineon is a member of the Wireless Power Consortium and the AirFuel Alliance.