Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

ISP650P06NMXTSA1
Infineon Technologies
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ISP650P06NMXTSA1

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726-ISP650P06NMXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

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Cinta cortada

$2.33

$1.40

$0.991

$0.793

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$0.724

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-223-4

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1 Channel

60 V

3.7 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC

IRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.767
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IRLHS6376TRPBF

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942-IRLHS6376TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC

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8,999En existencias

Cinta cortada

$0.767

$0.454

$0.373

$0.321

Envase tipo carrete

$0.235

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MouseReel Disponible

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N-Channel

2 Channel

30 V

3.6 A

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- 12 V, 12 V

1.8 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC

IRLML2030TRPBF
Infineon Technologies
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IRLML2030TRPBF

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942-IRLML2030TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC

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37,507En existencias

Cinta cortada

$0.611

$0.458

$0.259

$0.174

Envase tipo carrete

$0.117

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MouseReel Disponible

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30 V

2.7 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl

IRLML6246TRPBF
Infineon Technologies
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IRLML6246TRPBF

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942-IRLML6246TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl

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43,143En existencias

Cinta cortada

$0.546

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$0.211

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Envase tipo carrete

$0.12

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-23-3

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1 Channel

20 V

4.1 A

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- 12 V, 12 V

1.8 V

3.5 nC

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+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv capable

IRLML6344TRPBF
Infineon Technologies
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IRLML6344TRPBF

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942-IRLML6344TRPBF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv capable

Hoja de datos

119,829En existencias

Cinta cortada

$0.494

$0.321

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$0.191

Envase tipo carrete

$0.14

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MouseReel Disponible

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SOT-23-3

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30 V

5 A

29 mOhms

- 12 V, 12 V

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Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

BSP135IXTSA1
Infineon Technologies
1: $0.988
2,280En existencias
3,000Se espera el 16/02/2026

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BSP135IXTSA1

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726-BSP135IXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

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2,280En existencias

3,000Se espera el 16/02/2026

Cinta cortada

$0.988

$0.605

$0.394

$0.304

Envase tipo carrete

$0.264

Ver

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SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

600 V

120 mA

30 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

3.7 nC

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+ 150 C

1.8 W

Depletion

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP024N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $4.36
997En existencias

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IPP024N08NF2SAKMA1

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726-IPP024N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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997En existencias

$4.36

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$2.12

$2.03

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TO-220-3

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1 Channel

80 V

182 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP040N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $3.93
1,121En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP040N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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$3.93

$1.96

$1.77

$1.31

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1 Channel

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115 A

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+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP082N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $2.60
937En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP082N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP082N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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937En existencias

$2.60

$1.40

$1.27

$1.01

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N-Channel

1 Channel

100 V

77 A

8.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP129N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $2.43
1,031En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP129N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP129N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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$2.43

$2.42

$1.17

$1.05

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N-Channel

1 Channel

100 V

52 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable

IRLTS6342TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.754
3,342En existencias
3,000Se espera el 05/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRLTS6342TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLTS6342TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable

Hoja de datos

3,342En existencias

3,000Se espera el 05/03/2026

Cinta cortada

$0.754

$0.477

$0.298

$0.238

Envase tipo carrete

$0.155

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MouseReel Disponible

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

30 V

8.3 A

17.5 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3

2N7002H6327XTSA2
Infineon Technologies
1: $0.195
18,771En existencias
408,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
2N7002H6327XTSA2

N.º de artículo de Mouser
726-2N7002H6327XTSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3

Hoja de datos

18,771En existencias

408,000En pedido

Cinta cortada

$0.195

$0.105

$0.077

$0.072

Envase tipo carrete

$0.051

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

300 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

BSS123IXTSA1
Infineon Technologies
1: $0.299
10,664En existencias
12,000Se espera el 05/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSS123IXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS123IXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

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Hoja de datos

10,664En existencias

12,000Se espera el 05/03/2026

Cinta cortada

$0.299

$0.173

$0.082

$0.074

Envase tipo carrete

$0.042

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

190 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.8 V

630 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPB050N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $2.76
546En existencias
800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB050N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB050N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

546En existencias

800En pedido

Cinta cortada

$2.76

$1.82

$1.22

$1.14

Envase tipo carrete

$0.794

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

103 A

5.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP055N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $3.25
978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP055N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP055N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

978En existencias

$3.25

$1.60

$1.44

$1.15

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

ISC019N03L5SATMA1
Infineon Technologies
1: $1.66
1,128En existencias
5,000Se espera el 30/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC019N03L5SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC019N03L5SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

1,128En existencias

5,000Se espera el 30/04/2026

Cinta cortada

$1.66

$1.05

$0.694

$0.553

Ver

Envase tipo carrete

$0.394

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS ~ StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

ISP75DP06LMXTSA1
Infineon Technologies
1: $0.78
8,112En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISP75DP06LMXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISP75DP06LMXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

Obtenga más información

Hoja de datos

8,112En existencias

Cinta cortada

$0.78

$0.486

$0.322

$0.243

Envase tipo carrete

$0.166

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

1.1 A

750 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 25V 5.8A 24mOhm 5.4 Qg

IRFML8244TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.286
1,438En existencias
24,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFML8244TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFML8244TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 25V 5.8A 24mOhm 5.4 Qg

Hoja de datos

1,438En existencias

24,000En pedido

Cinta cortada

$0.286

$0.182

$0.138

$0.131

Envase tipo carrete

$0.095

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

25 V

5.8 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

5.4 nC

- 55 C

+ 175 C

1.25 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC

IRLHS6242TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.858
709En existencias
4,000Se espera el 19/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IRLHS6242TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6242TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC

Obtenga más información

Hoja de datos

709En existencias

4,000Se espera el 19/03/2026

Cinta cortada

$0.858

$0.484

$0.361

$0.303

Envase tipo carrete

$0.22

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

PQFN 2x2 (DFN2020)

N-Channel

1 Channel

20 V

22 A

11.7 mOhms

- 12 V, 12 V

1.1 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

9.6 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 20V 6.3A 21mOhm 2.5V cpbl

IRLML6244TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.559
19,430En existencias
102,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRLML6244TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML6244TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 20V 6.3A 21mOhm 2.5V cpbl

Hoja de datos

19,430En existencias

102,000En pedido

Cinta cortada

$0.559

$0.332

$0.166

$0.153

Envase tipo carrete

$0.09

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

6.3 A

21 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

8.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable

IRLML6346TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.572
1,985En existencias
215,900En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRLML6346TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML6346TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable

Hoja de datos

1,985En existencias

215,900En pedido

Cinta cortada

$0.572

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$0.221

$0.165

$0.147

Envase tipo carrete

$0.121

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3.4 A

63 mOhms

- 12 V, 12 V

800 mV

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

ISZ065N03L5SATMA1
Infineon Technologies
1: $1.26
2,335En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
ISZ065N03L5SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ065N03L5SATMA

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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$0.264

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

8.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

5.2 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

OptiMOS ~ StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -20V -4.3A 54mOhm -2.5V cpbl

IRLML2244TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.377
16,234En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IRLML2244TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML2244TRPBF

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -20V -4.3A 54mOhm -2.5V cpbl

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16,234En existencias

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.3 A

54 mOhms

- 12 V, 12 V

400 mV

6.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT P-Ch -30V -3.6A 64mOhm

IRLML9301TRPBF
Infineon Technologies
1: $0.507
16,312En existencias
66,000En pedido
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IRLML9301TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML9301TRPBF

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT P-Ch -30V -3.6A 64mOhm

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16,312En existencias

66,000En pedido

Cinta cortada

$0.507

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

3.6 A

103 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

4.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP016N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $6.03
2,000Se espera el 02/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP016N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP016N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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2,000Se espera el 02/07/2026

$6.03

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$3.12

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Through Hole

N-Channel

1 Channel

80 V

196 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

120 mA
190 mA
300 mA
1.1 A
2.7 A
3.4 A
3.6 A
3.7 A
3.9 A
4.1 A
4.3 A
4.5 A
5 A
5.3 A
5.8 A
6.3 A
6.4 A
8.3 A
22 A
40 A

900 uOhms
1.05 mOhms
1.15 mOhms
1.23 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2.05 mOhms
2.4 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.85 mOhms
4 mOhms
4.2 mOhms
4.6 mOhms
5 mOhms
5.05 mOhms
5.5 mOhms

600 pC
630 pC
1 nC
2.6 nC
2.8 nC
2.9 nC
3.1 nC
3.5 nC
3.7 nC
4 nC
4.8 nC
5.2 nC
5.4 nC
6.8 nC
6.9 nC
8.9 nC
11 nC
14 nC
15 nC
19 nC

500 mW
1.25 W
1.3 W
1.5 W
1.8 W
2 W
3.6 W
4.2 W
5 W
9.6 W
54 W
69 W
71 W
75 W
83 W
100 W
107 W
136 W
140 W
150 W