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BGA5H1BN6E6327XTSA1

Name: Infineon BGA5H1BN6E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGA5H1BN6E6327XT
Price: 0.76 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BGA5H1BN6E6327XT

Fabricante N.º:

BGA5H1BN6E6327XTSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Amplificador de RF RF MMIC SUB 3 GHZ

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

BGA5H1BN6E6327XTSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$0.767	$0.77
	$0.608	$6.08
	$0.543	$13.58
	$0.473	$47.30
	$0.438	$109.50
	$0.419	$209.50
	$0.402	$402.00
	$0.381	$952.50
	$0.355	$1,775.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 12000)
	$0.355	$4,260.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Amplificador de RF
RoHS:
Frecuencia de trabajo:	2.3 GHz to 2.69 GHz
Voltaje de alimentación operativo:	1.5 V to 3.6 V
Corriente de suministro operativa:	8.5 mA
Ganancia:	18 dB
NF - Figura de ruido:	0.7 dB
Tipo:	Low Noise Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSNP-6
Tecnología:	SiGe
P1dB: punto de compresión:	- 16 dBm
OIP3: punto de intersección de tercer orden:	- 6 dBm
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Pérdida de retorno de entrada:	10 dB
Aislamiento dB:	36 dB
Número de canales:	1 Channel
Dp - Disipación de potencia :	60 mW
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	12000
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Frecuencia de prueba:	2.5 GHz
Alias de las piezas n.º:	BGA 5H1BN6 E6327 SP001777994
Peso de la unidad:	0.830 mg

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Códigos de cumplimiento

MXHTS:: 8542330201
CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Alemania
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Alemania

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

BGA5x1BN6 Low-noise Amplifiers

Infineon Technologies BGA5x1BN6 Amplifier product family includes +18dBm high-gain, low-noise amplifiers that cover the low (600-1000MHz) mid (1805-2200MHz), and high-band (2300-2690MHz) frequency ranges. Based on Infineon Technologies‘ B9HF Silicon Germanium technology, the BGA5x1BN6 Amplifiers operate from a 1.5V to 3.6V supply voltage and offer single-line two-state control. The amplifiers provide excellent low-noise performance and competitive insertion-loss levels. Designers can easily enable BGA5x1BN6's off-state mode by powering down the V_CC. Available in an ultra-small leadless package measuring only 0.7 x 1.1mm², the BGA5x1BN6 Amplifiers are ideal for smartphones running on the LTE or GSM network.