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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL3
Hoja de datos
12En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL3
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL2
Hoja de datos
1En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL1
Hoja de datos
9En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL2
Hoja de datos
7En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Asymmetrical Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL1
Hoja de datos
6En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-SBD-BL2
Hoja de datos
6En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C